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24AA04H/24LC04BH
FIGURE 7-2:
RANDOM READ
Bus Activity
Master
S
T
A
R
T
Control
Byte
Word
Address (n)
S
T
A
R
T
Control
Byte
Data (n)
S
T
O
P
C
C
S 1 0 1 0 x x B0 0
SDA Line
A
Block
Select K
Bus Activity
Bits
x = “don’t care”
A
C
K
S 1 0 1 0 x x B0 1
A
Block
Select K
Bits
N
o
A
C
K
P
FIGURE 7-3:
SEQUENTIAL READ
Bus Activity
Master
Control
Byte
Data (n)
Data (n + 1)
Data (n + 2)
Data (n + X )
S
T
O
P
SDA Line
1
P
Bus Activity
A
C
K
A
C
K
A
C
K
A
C
K
N
o
A
C
K
DS22119A-page 10
? 2008 Microchip Technology Inc.
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24LC04BH-I/MNY 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 4K 512 X 8 2.5V SER EE IND 1/2 ARRAY WP RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8
24LC04BH-I/MS 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 4K 512 X 8 2.5V SER EE IND 1/2 ARAY WP RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8
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